وبلاگ

ما در این سمینار به بررسی تقویت کننده کم نویز (CMOS ) می پردازیم .
در فصل یک به مطالعه مفاهیم اساسی در طراحی RF می پردازیم و مشخصاتی
و تعاریفی که در ادامه به آنها نیاز داریم را بررسی می کنیم . در تقویت کننده های
کم نویز یکی از مهمترین مسائلی که با آن روبه رو هستیم تطبیق امپداس ورودی است.
در فصل 2 روش های مختلف این تطبیق را مطالعه می کنیم .
در فصل 3 پارامتر های مورد نظر برای تقویت کننده کم نویز را مورد بررسی قرار می دهیم
و به بررسی تقویت کننده های کم نویز می پردازیم .

لزوم وجود این بلوک در گیرنده را بررسی خواهیم کرد و پارامتر های مهم و تعیین کننده

در تقویت کننده کم نویز مانند پایداری ، تطبیق امپدانس در ورودی و خروجی را مطالعه
می کنیم .
در فصل 4 به برسی ساختار های مختلف و راه های بهبود پارامتر های تقویت کننده کم نویز
که تا به حال در مقالات و کتاب های دیگر انجام شده است می پردازیم . هرکدام از ایده های
زیر میتواند به بهتر شدن جواب های تقویت کننده کم نویز کمک کنند و میتوان روی هر کدام
ار آن ها در اینده کار کرد :
فیدبک ترانزیستوری ، مصالحه بین پهنای باند و بهره با استفاده از سلف خروجی ، مصالحه بین
توان و نویز فیگر مصالحه بین ضریب کیفیت ورودی . IIP3 ،استفاده از مدارات جانبی مثل حذف
تصویر و بای پس سیگنال بزرگ ، افزایش گستره ورودی ، بهینه کردن ولتاژ ها برای دست یابی
به نویز بهینه ، استفاده از یک یا چند بافر ، استفاده از ایزولاسیون R-C-R که با ترانزیستور ساخته
می شود .